Лазерно-індуковані зміни оптичних властивостей аморфних плівок системи Ge-Se

Автор(и)

  • В. М. Рубіш Інститут проблем реєстрації інформації НАН України, Ужгородський національний університет , Україна
  • М. М. Поп Інститут проблем реєстрації інформації НАН України, Ужгородський національний університет, Україна
  • В. В. Петров Інститут проблем реєстрації інформації НАН України , Україна
  • Л. І. Макар Інститут проблем реєстрації інформації НАН України , Україна
  • А. А. Крючин Інститут проблем реєстрації інформації НАН України , Україна
  • Т. І. Ясінко Інститут проблем реєстрації інформації НАН України , Україна
  • В. В. Рубіш Інститут електронної фізики НАН України, Україна
  • О. А. Микайло Ужгородський національний університет , Україна
  • Д. І. Кайнц Ужгородський національний університет , Україна
  • С. О. Костюкевич Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.35681/1560-9189.2024.26.2.316668

Ключові слова:

аморфні плівки,оптичні характеристики та параметри, фото індуковані ефекти

Анотація

Досліджено вплив лазерного випромінювання з λ = 530 і 650 нм на спектри пропускання аморфних плівок GeSex. Розраховано значення ширини псевдо забороненої Eg  та показника заломлення плівок. Виявлено два види фотоіндукованих ефектів у плівках — фотопросвітлення (GeSe5, GeSe3, GeSe2) і фотопотемніння (GeSe15). Встановлено, що рівень змін оптичних параметрів плівок GeSe5 і GeSe15 при їхньому лазерному опроміненні набагато вищий ніж плівок інших складів (GeSe8, GeSe4,GeSe3, GeSe2, Ge2Se3). Виявлено деякі відмінності в результатах досліджень плівок при їхньому опроміненні зеленим і червоним лазерами пов’язані з фотопластичним ефектом, який проявляється в них при за світці світлом з області краю власного поглинання.

Посилання

Petrov V.V., Kriuchyn A.A., Kostiukevych S.O., Rubish V.M. Neorhanichna fotolitohrafiia. Kyiv: IMF NANU, 2007. 197 p.

Venger E.F., Melnichuk A.V., Stronskiy A.V. Fotostimulirovannye protsessy v khalkogenidnykh stekloobraznykh poluprovodnikakh i ikh prakticheskoe primenenie. Kiev: Akademperiodika, 2007. 283 p.

Petrov V.V., Kriuchyn A.A., Rubish V.M. Materialy perspektyvnykh optoelektronnykh ustroistv. Kyiv: Nauk. dumka, 2012. 336 p.

Petrov V.V., Kriuchyn A.A., Kunytskyi Yu.A., Rubish V.M., Lapchuk A.S., Kostiukevych S.O. Metody nanolitohrafii. Kyiv: Nauk. dumka, 2015. 262 p.

Korotun A.V., Koval A.O., Kriuchyn A.A., Rubish V.M., Petrov V.V., Titov I.M. Nanofotonni tekhnolohii. Suchasnyi stan i perspektyvy. Uzhhorod: FOP Sabov A.M., 2019. 482 p.

Sleeckx E., Tichy L., Nagels P., Callaerts R. Thermally and photo-induced irreversible changes in the optical properties of amorphous GexSe100-x films. J. Non-Cryst. Solids. 1996. Vol. 198–200. pp. 723–727. https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00030-0

Marian V.M., Horvat H.T., Pop M.M., Hera E.V., Rubish V.M. Fotostymulovani zminy optychnykh vlastyvostei tonkykh plivok sulfidiv hermaniiu ta myshiaku. Fizyka i khimiia tverdoho tila. 2008. V. 9, No 3. pp. 524–528.

Rubish V.M., Gera E.V., Durcot M.O., Pop M.M., Kostyukevich S.O., Kudryavtsev A.A., Mykulanynets-Meshko O.S., Rigan M.Yu. Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. Vol. 16, No. 4. pp. 349–353. https://doi.org/10.15407/spqeo16.04.349

Hera E.V., Mykulanynets-Meshko O.S. Vplyv lazernoho vyprominiuvannia na optychni ... Kyiv: IPRI NAN Ukrainy, 2014. pp. 34–36.

Mykulanynets-Meshko O.S., Perevuznyk V.P. Fotoindukovani efekty v plivkakh sys- ... Kyiv: IPRI NAN Ukrainy, 2016. pp. 39–41.

Indutnyy I.Z., Lukanyuk M.V., Minko V.I., Shepelyavyy P.E., Gera E.V., Rubish V.M., Kryuchin A.A., Borodin Yu.A. Opticheskaya zapis mikro- i nanorazmernykh relefnykh struktur. https://doi.org/10.35681/1560-9189.2013.15.4.103416

Horvat Yu.A., Shtets P.P. Foto- i termoindukovani efekty v amorfnykh plivkakh Sb... Kyiv: IPRI NAN Ukrainy, 2014. pp. 42–45.

Shtets P.P., Yasinko T.I. Vplyv lazernoho vyprominiuvannia (λ=630 nm) na spektry pro- ... Kyiv: IPRI NAN Ukrainy, 2016. pp. 41–43.

Petkov K. Compositional dependence of the photoinduced phenomena in thin chalcogenide films. J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2002. Vol. 4, No. 3. pp. 611–629.

Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon. J. Phys. E: Sci. Instrum. 1983. Vol. 16. pp. 1214–1222. https://doi.org/10.1088/0022-3735/16/12/023

Trunov M.L. Polarization-dependent laser-induced giant mass transport in glassy semiconductors. JETP Lett. 2007. Vol. 86, No. 5. pp. 313–316. https://doi.org/10.1134/S0021364007170079

Yannopoulos S.N., Trunov M.L. Photoplastics effects in chalcogenide glasses: A review. Phys. Stat. Solidi (b). 2009. Vol. 246, No. 8. pp. 1773–1785.

##submission.downloads##

Опубліковано

2024-11-19

Номер

Розділ

Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних