Оптичний запис мікро- та нанорозмірних рельєфних структур на неорганічних резистах Ge-Se
DOI:
https://doi.org/10.35681/1560-9189.2013.15.4.103416Ключові слова:
неорганічний фоторезист, оптичний запис, мікрорельєфні структуриАнотація
Представлено результати експериментальних досліджень по запису мікрорельєфних структур сфокусованим лазерним випромінюванням з довжиною хвилі 405 нм на плівках неорганічних фоторезистів системи Ge-Se. Показано, що мікрорельєфні структури глибиною 100 нм можуть бути отримані на неорганічних фоторезистах складу GeSe3. Збільшення вмісту германію (досліджувався склад GeSe2) не дозволяє отримувати мікрорельєфні структури з глибиною рельєфу, необхідною для виготовлення дисків-оригіналів, які використовуються у виробництві DVD і BD компакт-дисків. Плівки з високим вмістом Se (GeSe8) характеризуються наявністю кристалічних включень і не можуть бути використані для отримання мікрорельєфних структур при запису інформації на диски-оригінали. Табл.: 2. Іл.: 4. Бібліогр.: 19 найм.Посилання
Neorhanichna fotolitohrafiya: monohrafiya / [Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Kostyukevich S.A., Rubish V.M.] / Nats. akad. nauk Ukrayiny, In-t problem reyestratsiyi inform., In-t fizyky napivprovidnykiv. — K.: IMF NANU, 2007. — 195 p.
Indutny I.Z. Laser Lithography in the Layers As2S3 / I.Z. Indutny, S.A. Kostyukevich, V.I. Minko // Optoelectron and Semiconductor Engin. — 1993. — N 25. — pp. 52–59.
Thermal Direct Mastering Using Deep UV Laser. Part. 1 / Sakai Toshihiko, Nakano Ikuo, Shimo Masanor [et al.] // Jpn. Appl. Phys. — 2006. — Vol. 45, N 2B. — pp. 1407–1409.
Pat. 2008015 2936A1 SShA. MKI В44C L/22; G11 B23/00; G11 B23/00. Methods for Mastering and Mastering Substrate / E.R. Meinders, H.S.P. Bouwmans, J.J.X.L. De Fumichon, P.G.J.M. Pete-ters. — Jun. 26, 2008.
Pat. 20110274895A1 SShA. MKI В32В 3/10. Method for Manufacturing Optical Disc Master and Method for Manufacturing Optical Disc / A. Kouchiyama (Kanagawa, JP), K. Aratani (Chiba, JP). — Sony Corp. Pub. — Data 10.11.2011.
Pat. 20110273696A1 SShA. MKI В 32 В 3/10. Method for Manufacturing Optical Disc Master and Method for Manufacturing Optical Disc / A. Kouchiyama (Kanagawa, JP), K. Aratani (Chiba, JP); zajav. 20.07.2011; opubl. 10.11.2011.
Tai K.L. Multilevel Ge-Se Films Based Resist Systems / K.L. Tai, R.G. Vadimsky, E. Ong // Proc. SPIE. — 1982, June 30. — Vol. 0333. Submicron Lithography 1. — Р. 32; doi:10.1117/12. 933409.
Pat. 4368099 SShA MKI G 03 F 7/36. Development of Germanium Selenide Photoresist // Hugge; Paul G. (Zurich, CH), Frick; Klaus (Herrliberg, CH); zajavl. 5.02.1982; opubl. 11.01.1983.
Pat. 4405.710 SShA MKI G 03 F 7/0043. Ion Beam Exposure of (g-Ge, sub, x-Se, sub, 1-x) Inorganic Resists // Balasubramanyam; Karanam (Ithaca, NY), Ruoff; Arthur L. (Ithaca, NY) Cornell Research Foundation, Inc. (Ithaca, NY); zajavl. 22.06.1981; opubl. 20.09.1983.
Ipser H. The Germanium-Selenium Phase Diagram / H. Ipser, M. Cambino, W. Schuster // Monatsh. Chem. — 1982. — Vol. 113, N 4. — pp. 389–398.
Shtekkelmaher V. Metody kontroliruemogo nanesenija tonkih plenok / Shtekkelmaher V. // V kn. "Plenochnaja mikrojelektronika"; pod red. L. Hollenda. — M.: Mir, 1968. — 366 p.
Shpak I.I. Optical Absorption Edge and Structural Disorder in Electron-Irradiated As2S3 Chalcogenide Glasses / I.I. Shpak, I.P. Studenyak, M. Kranjcec // J. Optoelectronics and Advanced Mat. — 2003. — N 5. — pp. 1135–1138.
Indutnyi I.Z. Determination of the Optical Constants of Thin Absorbing Films on a Slightly Absorbing Substrate from Photometric Measurements / I.Z. Indutnyi, A.I. Stetsun // Proc. SPIE. — 1993. — Vol. 2113. — pp. 55–59.
Thermally and Photo-Induced Irreversible Changes in the Optical Properties of Amorphous GexSe100–x Films / Sleeckx E., Tichy L., Nagels P., Callaerts R. // J. Non-Cryst. Solids. — 1996. — Vol. 198–200. — pp. 723–727.
Swanepoul R. Determination of the Thickness and Optical Constants of Amorphous Silicon / R. Swanepoul // J. Phys. E: Sci Instrum. — 1983. — Vol. 16. — pp. 1214–1222.
Holographic Optical Element Fabrication Using Chalcogenide Layers / I.Z. Indutnyi, A.V. Stronski, P.E. Schepeljavi [et al.] // Opt. Eng. — 1995. — 34(4). — 1030.
Fotostimulirovannye vzaimodejstvija v strukturah metall-poluprovodnik / [Indutnyj I.Z., Kostyshin M.T., Kasjarum O.P. et al.]. — K.: Nauk. dumka, 1992.
Photo-Induced Metastability in Amorphous Semiconductors; ed. by A.V. Kolobov. — New York: Wiley, 2003.
Interference Photolithography Using Photoetching Effect in Chalcogenide Films / V.A. Danko, I.Z.Indutny, V.I. Minko [et al.] // Journal of Non-Oxide Glasses. — 2012. — Vol. 3, N 2. — pp. 13–18.
