Методи формування нанорозмірних структур на плівках халькогенідних склоподібних напівпровідників

Автор(и)

  • V. V. Petrov Інститут проблем реєстрації інформації НАН України, Ukraine
  • P. M. Lytvyn Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Ukraine
  • M. L. Trunov Інститут проблем реєстрації інформації НАН України, Ukraine
  • A. A. Kryuchyn Інститут проблем реєстрації інформації НАН України, Ukraine
  • E. V. Belyak Інститут проблем реєстрації інформації НАН України, Ukraine
  • V. M. Rubish Інститут проблем реєстрації інформації НАН України, Ukraine
  • S. O. Kostyukevych Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Ukraine
  • A. A. Koptiukh Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.35681/1560-9189.2016.18.1.100341

Ключові слова:

нанорельєфні структури, халькогенідні склоподібні напівпровідники ближньопольові зонди, атомно-силова літографія

Анотація

Представлено аналіз методів запису мікро- та нанорельєфних структур на плівках халькогенідних склоподібних напівпровідників. Показано, що при експонуванні плівок халькогенідних склоподібних напівпровідників оптичним випромінюванням, яке сфокусовано дифракційно обмеженими оптичними системами, відбитки, розміри яких значно менші дифракційної межі, можуть бути отримані при використанні нелінійності експозиційної характеристики фоточутливих матеріалів. Наведено дані про запис нанорозмірних структур ближньопольовими та електронно-променевими фокусувальними системами.

Посилання

Formation of surface structures on amorphous chalcogenide films / S. Kokenyesi, I. Ivan, V. Takats [et al.] // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2007. — Vol. 353. — P. 1470–1473.

Vlcek M. Nanostructuring of chalcogenide glasses using electron lithography / M. Vlcek, H. Jain // J. of Optoelectronics and Advanced Materials. — 2006. — Vol. 8, N 6. — P. 2108–2111.

Fabrication of nano-gratings in arsenic sulphide films / J.R. Neilson, A. Kovalskiy, M. Vlcek, [et al.] // J. of Non-Crystalline Solids. — 2007. — Vol. 353, Issue. 13–15. — P. 1427–14302.

Kolobov A.V. Chalcogenide glasses in optical recording:recent progress / A.V. Kolobov, J. To-minaga // J. of Optoelectronics and Advanced Materials. — 2002. — Vol. 4, N 3. — P. 679–686

Neorhanichna fotolitohrafiya. Monohrafiya / [Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Kostyukevych S.O., Rubish V.M.] / Nats. akad. nauk Ukrayiny, In-t problem reyestratsiyi informatsiyi, In-t fizyky napivprovidnykiv. — K.: IMF NANU, 2007. — 195 s.

Krjuchin A.A. Vlijanie nelinejnosti registrirujushhej sredy na plotnost' zapisi informacii v opticheskih zapominajushhih ustrojstvah / A.A. Krjuchin, V.V. Petrov // Kvantovaja jelektronika. — 1997. — T. 4, No. 1. — S. 188–190.

Krjuchin A.A. Analiz metodov poluchenija nanorazmernyh rel'efnyh struktur na poverhnosti nositelej informacii / A.A. Krjuchin, S.A. Kostjukevich // Reyestratsiya, zberihannya i obrob. danykh. — 2010. — T. 12, No. 1. — S. 3–11.

Petrov V.V. O svetochuvstvitel'nosti sistem na osnove stekloobraznyh hal'kogenidnyh poluprovodnikov pri vysokoj moshhnosti obluchenija / V.V. Petrov, A.A. Krjuchin // Kvantovaja jelektronika. — 1974. — T. 1, No.12. — S. 2618–2620.

Kostyshin M.T. Povedenie svetochuvstvitel'noj sistemy Ag-As2S3 pri obluchenii impul'snym lazernym izlucheniem bol'shoj moshhnosti / M.T. Kostyshin, S.A. Kostjukevich // Ukr. fiz. zhurn. — 1981. — T. 26, No. 9. — S. 1561–1563.

Kaliteevskaja N.A. Jeffekt usilija kontrasta peredachi izobrazhenija pri vzaimodejstvii ul'trafioletovogo izluchenija s plenkami neorganicheskih fotorezistov / N.A. Kaliteevskaja, R.P. Sejsjan // Fiz. i tehn. poluprovodnikov — 2001. — T. 35, No. 2. — S. 233–236.

Sub-wavelength optical recording on chalcogenide glassy film / Y. Isbi, S. Sternklar, E. Granot [et al.] // Optics communications. — 1999. — Vol. 171, N 4/6. — P. 219–223.

Nadshchil'nyy optychnyy zapys informatsiyi / [Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Shanoylo S.M. ta in.]: vidp. red. O.H. Dodonov. — Natsional'na akademiya nauk Ukrayiny, Instytut problem reyestratsiyi informatsiyi. — K.: NAN Ukrayiny, 2009. — 282 s. — ISBN 978-966-02-5027-7.

Indutniy I.Z. Laser lithography in the layers As2S3 / I.Z. Indutniy, S.A. Kostyukevich, V.I. Minko // Optoelectron and Semicond. Engin, —1993. — Vol. 25. — Р. 52–59.

Optical switching properties of light –inducedpinhoe in antimony thin films / T. Fukaya, J. Tominaga, T. Nakano, N. Atoda // Appl. Phys. Lett. — 1999. — Vol. 75. — P. 3114–3116 .

Non-melting super-resolution near-field apertures in Sb-Te alloys / R.E. Simpson, P. Fons, X. Wang [et al.] // Appl. Phys. Lett. — 2010. — Vol. 97. — P. 161906.

Optical Properties of Metal-Oxide Films in Super-RENS / Q. Liu, T. Fukaya, J. Tominaga [et al.] // Japanese Journal of Applied Physics. — 2005. — Vol. 44. — Part 1. — N. 7A. — P. 5156–5163.

Light-induced mass transport in amorphous chalcogenides/gold nanoparticles composites / M.L. Trunov, P.M. Lytvyn, P.M. Nagy [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Opto-electronics. — 2013. — Vol. 16, N 4. — P. 354–361.

Light-induced mass transport in amorphous chalcogenides: Toward surface plasmon-assisted nanolithography and near-field nanoimaging / M.L. Trunov, P.M. Lytvyn, P.M. Nagy [et al.] // Phys. Status Solidi B. — 2014. — 251, N 7. — Р. 1354–1362.

Thermal and optical nanolithography using a scanning near-field optical microscopy / E. Fla-xer, M. Klebanov, V. Lyubin [et al.] / Microscopy: Science, Technology, Applications and Education A. Mendez-Vilas and J. Diaz (Eds). — FORMATEX, 2010. — P. 2103–2110.

Optical near-field lithography in halcogenidefilms / S. Noach, M. Manevich, N.P. Eisenberg [et al.] //Optical Materials. — 2006. — Vol. 28. — P. 1054–1057.

Real-time atomic force microscopy imaging of photoinduced surface deformation in AsxSe100?xAsxSe100?x chalcogenide films / M.L. Trunov, P.M. Lytvyn, P.M. Nagy, O.M. Dyachyns’ka // Appl. Phys. Lett. — 2010. — Vol. 96. — 111908.

Kaganovskii Yu. Inversion of the direction of photo-induced mass transport in As20Se80 films: Experiment and theory / Yu. Kaganovskii, D.L. Beke, S. Charnovych [et al.] // J. Appl. Phys. — 2011. — 110. — Р. 063502 (5).

Metody nanolitohrafiyi / [Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Kunytskyy Yu.A. ta in.]. — K.: Nauk. dumka, 2015. — 262 s.

Kado H. Nanometer-scale recording on chalcogenide films with an atomic force microscope / H. Kado, T. Tonda // Appl. Phys. Lett. — 1995. — Vol. 66. — P. 2961–2962.

Bhushan B. Nanotribology and nanomechanics of AFM probe-based data recordingtechnology / B. Bhushan, K. J. Kwak, M. Palacio J. // Phys.: Condens. Matter. — 2008. — Vol. 20, N 36. — 365207.

Atomic force microscopy lithography as a nanodevice development technique / A. Notargia-como, V. Foglietti, E. Cianci [et al.] // Nanotechnology. — 1999. — Vol. 10, N 4. — P. 458–463.

Scanning probe nano-patterning on chalcogenide resists / I.Z. Indutniy P.M. Lytvin, V.I. Min’ko [et al.] // Abstract Book 7-th Internation. Conf. on Amorphous and Nanostructured Chalcogenides Cluj-Napoca, June 5–10, 2015. — P. 16

Trunov M.L. Photoplastic effect in non-crystalline materials: a nanoindentation study / M.L. Trunov // J. Phys. D: Appl. Phys. — 2008. — Vol. 41, N 7. — 074011

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-02-02

Номер

Розділ

Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних