Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів
DOI:
https://doi.org/10.35681/1560-9189.2014.16.2.100252Ключові слова:
аморфні плівки, фазові переходи, елементи пам’ятіАнотація
Розроблено стенд, який дозволяє одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (в) плівок у ділянці температур 300-560 К. Досліджено температурні залежності R та в аморфних плівок системи сурма-селен. Показано, що їхня кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки.Посилання
Understanding the Phase-Change Mechanism of Rewritable Optical Media / A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel [et al.] // Nature Mater. — 2004. — Vol. 3. — P. 703–708.
Neorhanichna fotolitohrafiya / [Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Kostyukevych S.O., Rubish V.M.]. — K.: IMF NANU, 2007. — 195 p.
Characteristics of Ga-Sb-Te Films for Phase-Change Memory / Cheng H.-Y., Kao K.-F., Lee C.-M., Chin T.-S. // IEEE Transactions on Magnetics. — 2007. — Vol. 43, N 2. — P. 927–929.
Temperature Influence on Electrical Properties of Sb-Te Phase-Change Material / F. Wang, Y. Zhang, Z. Song [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. — 2008. — Vol. 47, N 2. — P. 843–846.
Kozjuhin S.A. Perspektivy primenenija hal'kogenidnyh splavov v jelementah fazovoj pamjati / S.A. Kozjuhin, A.A. Sherchenkov // Prilozhenie k zhurnalu «Vestnik RGRTU», 2009. — No. 4. — 7 s.
Terao M. Electrical Phase-Change Memory: Fundamentals and State of the Art / M. Terao, T. Morikawa, T. Ohta // Jpn. J. Appl. Phys. — 2009. — Vol. 48. — P. 080001 (1–14).
Bogoslovskij N.A. Fizika jeffektov perekljuchenija i pamjati v hal'kogenidnyh stekloobraznyh poluprovodnikah / N.A. Bogoslovskij, K.D. Cjendin // FTP. — 2012. — T. 46, No. 5. — C. 577–608.
Thermal Properties of Phase-Change Material Ge2Sb2Te5 Doped with Bi / Sherchenkov A., Kozyuchin S., Babich A., Lazarenko P. // J. Non-Cryst. Solids. — 2013. — Vol. 377. — P. 26–29.
Kozyukhin S.A. Phase Separation in Chalcogenide Semiconductors of the Ge-Te System Upon Thermal Cycling / S.A. Kozyukhin, A.A. Sherchenkov, A.V. Babich // Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Elektronika. — 2013. — Vol. 100, N 2. — P. 3–8.
Shvarc K.K. Opticheskie registrirujushhie sredy / K.K. Shvarc, V.I. Gotlib, Ja.Sh. Kristanson. — Riga, Zinatne, 1976. — 184 s.
Sb-Se-based Phase-Change Memory Device with Lower Power and Higher Speed Operations / S.-M. Yoon, N.-Y. Lee, S.-O Ryu [et al.] // IEEE Electron Device Letters. — 2006. — Vol. 27, N 6. — P. 445–447.
Fazovi peretvorennya v khal'kohenidnykh steklakh ta amorfnykh plivkakh Mar"yan V.M, Kozusenok O.V., Kyrylenko V.K. [ta in.] // Tez. dop. V Ukr. nauk. konf. z fizyky napivprovidnykiv (UNKFN-5). — Uzhhorod, 2011. — S. 257.
Temperaturni doslidzhennya amorfnykh plivok z efektom zminy fazy / Rubish V.M., Kyrylenko V.K., Durkot M.O. [ta in.] // Tez. dokl. IV Mezhdunar. nauch. konf. «Nanorazmernye sistemy: stroenie, svojstva, tehnologii (NANSIS – 2013)». — Kiev, Ukraina, 2013. — C. 408.
Doslidzhennya fazovykh perekhodiv «amorfna faza – krystalichna faza» v plivkakh systemy surma-selen rezystyvnym ta optychnym metodamy / Rubish V.M., Kyrylenko V.K., Mar"yan V.M. [ta in.] // Tez. dop. VI Ukr.nauk. konf. z fizyky napivprovidnykiv (UNKFN-6). — Chernivtsi, Ukrayina, 2013. — S. 563–564.
Chalcogenide Amorphous Materials with Phase Transitions / Maryan V.M., Kyrylenko V.K., Kozusenok A.V. [et al.]: mat. XIV Intern. Conf. «Physics and technology of thin films and nanosystems» (ICPTTFN-XIV). — Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2013. — P. 319.
New Insights on the Сrystallization Рrocess in Ge15Sb85 Рhase-Сhange Мaterial: A Simultaneous Сalorimetric and Quick-EXAFS Мeasurement / P. Zalden, G. Aquilanti, O. Prestipino [et al.] // J. Non-Cryst. Solids. — 2013. — Vol. 377. — P. 30–33.
Crystallization Study of (As2S3)100-x(SbSI)x Аmorphous Films by Оptical Мethod / V.M. Rubish, O.V. Kozusenok, P.P. Shtets [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Vol. 15, N 3. — P. 294–297.
Mekhanizm krystalizatsiyi amorfnykh plivok Sb2Se3 / O.V. Kozusenok, O.H. Horina, V.M. Mar"yan [ta in.] // Nauk. visnyk Uzhhorod. un-tu. Seriya Fizyka. — 2013. — No. 34. — S. 64–67.
