Вплив теплових процесів в Si/AIIIBV RGB-матрицях світлодіодів на реверсивне мікропроцесорне управління освітленням
DOI:
https://doi.org/10.35681/1560-9189.2012.14.2.105046Ключові слова:
світлодіодна матриця, монолітна інтеграція, температурна динаміка, реверсивне включення, RGBАнотація
Обґрунтовано необхідність впровадження монолітно інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерел світла. Проаналізовано вплив динаміки температурних змін на реверсивний режим включення сві-тлодіодів як фотоприймачів у інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерелах світла. Досліджено вплив тем-пературної динаміки на довжину хвилі, інтенсивність випромінювання та колірну температуру досліджуваних зразків. Досліджено силу світла діодних джерел видимого випромінювання залеж-но від температури. Обґрунтовано необхідність використання при реалізації Si/AIIIBV RGB-джерел світла декількох світлодіодів у рознесені в часі моменти в реверсивному режимі включення. Табл.: 2. Іл.: 3. Бібліогр.: 13 найм.Посилання
Masol I.V., Osinskiy V.I., Sergeyev O.T. Informatsionnyye nanotekhnologii— K.: Makros, 2011. — 560 p.
Osinskiy V.I., Masol I.V., Lyakhova N.N., Deminskiy P.V Na puti sozdaniya umnogo osveshcheniya integratsiyey Si/III-N svetodiodnykh struktur // Materialy 8-y Vserossiyskoy konf. "Nitridy galliya, indiya, alyuminiya — struktury i pribory". — S.-Pb., 2011. — pp. 190–191.
Osinskiy V.I., Verbitskiy V.G., Tuchinskiy I.A. Tekhnologicheskaya i funktsionalnaya integratsiya moshchnykh svetodiodov na trinitridakh i fosfidakh / Elektronika i svyaz. Tematicheskiy vypusk "Problemy elektroniki". — CH. 1. —2008.
Osinsky V., Murchenko D., Honarmand H. Si/A3B5 One Chip Integration of White LED Sources / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Vol. 12, N 3. — pp.240–250.
Hunsperger R.G. Integrated Optics, Theory and Technology — Berlin: Springer, 1995. — pp. 2–10.
Shubert F. Svetodiody; per. s angl. pod red. A.E. Yunovicha. — 2-ye izd. — M.: FIZMATLIT, 2008. — 129 p.
Milns A., Foykht D. Geteroperekhody i perekhody metall-poluprovodnik — M.: Mir, 1975. — 432 p.
Osinsky V.I., Winogradoff N.N. Density-of-States Tails Associated with the 100 Sonduction Band Minima in Heavily Doped n-type GaAs / Solid State Communications. — 1 December 1970. — Vol. 8. — Issue 23. — pp. 2001–2003.
Osinskiy V.I. Radkevich A.I., Rubanchuk A.N. i dr. Mikroprotsessornoye upravleniye diodnymi istochnikami belogo sveta // III Vserossiyskaya konf. "Nitridy galliya, indiya i alyuminiya — struktury i pribory". — M.: MGU, 07-09 iyunya 2004. — pp. 166-167.
Bochkareva N.I. Zhirnov E.A., Yefremov A.A. i dr. Tunnelno-rekombinatsionnyye toki i effektivnost elektrolyuminestsentsii InGaN/GaN svetodiodov / FTP. — 2005. — T 39. — Vyp. 5. — pp. 627.
Zavalishin V.A., Radkevich A.I., Murchenko D.S. Osobennosti programmnogo obespecheniya mikroprotsessornogo upravleniya RGB istochnikami belogo sveta na integral'nykh matritsakh svetodiodov / Elektronika i svyaz. — 2008. — № 1. — pp. 80-84.
Buzanova L.K., Gliberman A.YA. Poluprovodnikovyye fotopriyemniki — M.: Energiya, 1976. — 21 p.
Deminskiy P.V. Selektivnaya fotochuvstvitelnost pri reversivnom vklyuchenii svetodiodov v integralnykh RGB istochnikakh belogo sveta / Elektronika i svyaz'. — 2011. — № 3. — pp. 14-18.
