Автоматизація вимірювань швидкості хімічного травлення тонких плівок
DOI:
https://doi.org/10.35681/1560-9189.2024.26.2.316977Ключові слова:
автоматизація процесів хімічного травлення, халькогенідні аморфні плівки, фоторезисти, інтерференційні методи контролю товщиниАнотація
Проаналізовано особливості застосування інтерференційного методу для контролю товщини тонких плівок і вимірювань їхньої швидкості травлення. Розроблено оптичну структурну схему інтерференційного методу, яка є оптимальною для автоматичного вимірювання швид-кості травлення тонких плівок. Як елементи всього оптичного тракту схеми рекомендовано застосовувати оптичні волокна. Експеримен-тально досліджено закономірності змін інтерференційної картини на тонких плівках As2S3 під час їхнього хімічного травлення у водному розчині карбонату натрію. Проведено оцінку абсолютної похибки автоматичних вимірювань швидкості травлення, яка не перевищує ± 0,5 нм/с. Показано, що запропоновані підходи придатні для проектування пристроїв автоматичного контролю процесів хімічного травлення різних речовин.
Посилання
Qualitech. Introduction to Chemical Etching. 2016. URL: https://www.qualitetch.com/introduction-chemical-etching/
Petrov, V.V.; Kriuchyn, A.A.; Kostiukevych, S.O.; Rubish, V.M. Neorhanichna fotolitohrafiia. Kyiv: IMF NANU. 2007. 197 p.
Petrov, V.V.; Kriuchyn, A.A.; Rubysh, V.M. Materialy perspektyvnykh optoelektronnykh ustroistv. Kyiv: Nauk. dumka. 2012. 336 p.
Petrov, V.V.; Kriuchyn, A.A.; Kunytskyi, Yu.A.; Rubish, V.M.; Lapchuk, A.S.; Kostiukevych, S.O. Metody nanolitohrafii. Kyiv: Nauk. dumka. 2015. 262 p.
Korotun, A.V.; Koval, A.O.; Kriuchyn, A.A.; Rubish, V.M.; Petrov, V.V.; Titov, I.M. Nanofotonni tekhnolohii. Suchasnyi stan i perspektyvy. Uzhhorod: FOP Sabov A.M. 2019. 482 p.
Ayodele, A. Chemical Etching: A Comprehensive Guide to Processes, Applications, and Techniques. Wevolver. 2024. URL: https://www.wevolver.com/article/chemical-etch
A History of Etching and its Place in Modern Manufacturing. Etching Technology. 2024. URL: https://www.etch-tech.co.uk/about/more-about-etching
Guo, J.; Yu, B.; Chen, L. Nondestructive nanofabrication on Si(100) surface by tribochemistry-induced selective etching. Scientific Reports. 2015. No. 5. 16472. https://doi.org/10.1038/srep16472
Buckwell, M.; Ng, W.H.; Hudziak, S.; Mehonic, A.; Lanza, M.; Kenyon, A.J. Improving the consistency of nanoscale etching for atomic force microscopy tomography applications. Frontiers in Materials. 2019. Vol. 6. https://doi.org/10.3389/fmats.2019.00203
Babichuk, I.S.; Danko, V.A.; Indutnyi, I.Z.; Lukaniuk, M.V.; Mynko, V.I.; Shepeliavyi, P.Ye. Fotostymulovani reversyvni peretvorennia u plivkakh Ge-Se yak osnova rezystyvnoho protsesu. Optoelektronika i napivprovidnykova tekhnika. 2014. Vyp. 49. pp. 36–41. URL: https://www.researchgate.net/publication/314207533
Sun, J.; Li, X.; Zhang, H.; Song, J.; Li, Z. A method for measuring and calibrating the thickness of thin films based on infrared interference technology. Results in Physics. 2023. Vol. 51. 106727. https://doi.org/10.1016/j.rinp.2023.106727
Tarnai, A.A.; Kyrylenko, V.K.; Rubish, V.M.; Hera, E.V. Ustanovka dlia doslidzhennia protsesiv ridynnoho travlennia neorhanichnykh rezystiv — seredovyshch dlia holohrafii ta optychnoho zapysu informatsii.
Hera, E.V.; Durkot, O.M.; Marian, V.M.; Mykailo, O.A.; Pop, M.M.; Rubish, V.M.; Shtets, P.P. Vplyv lazernoho vyprominiuvannia na optychni kharakterystyky plivok As40S60-xSex (0≤x≤15). Fizyka i khimiia tverdoho tila. 2014. T. 15, No 4. pp. 741–746.
