Автоматизація вимірювань швидкості хімічного травлення тонких плівок
DOI:
https://doi.org/10.35681/1560-9189.2024.26.2.316977Ключові слова:
автоматизація процесів хімічного травлення, халькогенідні аморфні плівки, фоторезисти, інтерференційні методи контролю товщиниАнотація
Проаналізовано особливості застосування інтерференційного методу для контролю товщини тонких плівок і вимірювань їхньої швидкості травлення. Розроблено оптичну структурну схему інтерференційного методу, яка є оптимальною для автоматичного вимірювання швид-кості травлення тонких плівок. Як елементи всього оптичного тракту схеми рекомендовано застосовувати оптичні волокна. Експеримен-тально досліджено закономірності змін інтерференційної картини на тонких плівках As2S3 під час їхнього хімічного травлення у водному
розчині карбонату натрію. Проведено оцінку абсолютної похибки автоматичних вимірювань швидкості травлення, яка не перевищує ± 0,5 нм/с. Показано, що запропоновані підходи придатні для проектування пристроїв автоматичного контролю процесів хімічного травлення різних речовин.
Посилання
Qualitech, 2016. Introduction to Chemical Etching. Available at: https://www.qualitetch.com/introduction-chemical-etching/https://www.qualitetch.com/introduction-chemical-etching/
Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Kostyukevych S.O., Rubish V.M. Neorhanichna fotolitohrafiya. K.: IMF NANU, 2007. 197 p.
Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Rubysh V.M. Materyaly perspektyvnykh optoelektronnykh ustroystv. K.: Naukova dumka, 2012. 336 p.
Petrov V.V., Kryuchyn A.A., Kunytskyy Yu.A., Rubish V.M., Lapchuk A.S., Kostyukevych S.O. Metody nanolitohrafiyi. Kyyiv: Naukova dumka, 2015. 262 p.
Korotun A.V., Koval A.O., Kryuchyn A.A., Rubish V.M., Petrov V.V., Titov I.M. Nanofotonni tekhnolohiyi. Suchasnyy stan i perspektyvy. Uzhhorod: FOP Sabov A.M., 2019. 482 p.
Abiola Ayodele. Chemical Etching: A Comprehensive Guide to Processes, Applications, and Techniques. Wevolver. 2024. Available at: https://www.wevolver.com/article/chemical-etch.
A History of Etching and its place in Modern Manufacturing. Etching Technoligy, 2024. Available at: https://www.etch-tech.co.uk/about/more-about-etching.
Guo J., Yu B., Chen L. Nondestructive nanofabrication on Si(100) surface by tribochemistry-induced selective etching. Sci. Rep.. 2015. №5. Р. 16472.
Buckwell M., Wing H.Ng., Hudziak S., Mehonic A., Lanza M., Kenyon A.J. Improving the consistency of nanoscale etching for atomic force microscopy tomography applications. Front matter: mechanics of materials, 2019, V.6. DOI: 10.3389/fmats.2019.00203.
Babichuk I.S., Danko V.A., Indutnyy I.Z., Lukanyuk M.V., Minko V.I., Shepelyavyy P.YE. Fotostymulovani reversyvni peretvorennya u plivkakh Ge-Se yak osnova rezystyvnoho protsesu. Optoelektronika i napivprovidnykova tekhnika. 2014. Vyp. 49. pp. 36-41.
lJiaxing Sun, Xinyu Li, Haojie Zhang, Jinlong Song, Zhisong Li. A method for measuring and calibrating the thickness of thin films based on infrared interference technology. Results in Physics. 2023. V.51. 106727.
Tarnay A.A., Kyrylenko V.K., Rubish V.M. Gera E.V. Ustanovka dlya doslidzhennya protsesiv ridkoho travlennya neorhanichnykh rezystiv – seredovyshch dlya holohrafiyi ta optychnoho zapysu informatsiyi. Reyestratsiya, zberihannya i obrobka danykh. 2008. T. 10. № 2. pp. 32-36.
Gera E. V. , Durkot O. M., Maryan V. M., Mykaylo O. A., Pop M. M., Rubish V. M., Shtets P. P. Vplyv lazernoho vyprominyuvannya na optychni kharakterystyky plivok As40S60-xSex (0?x?15).// Fizyka i khimiya tverdoho tila. 2014. T 15. № 4. pp. 741-746.
