Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів

Ніна Суховій, Наталія Ляхова, Іван Масол, Володимир Осінський

Анотація


Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів. Зокрема, для епітаксійних шарів р-GaN засвідчено низьку щільність проростаючих дислокацій (~5×106 см–2) і продемонстровано, що УФ-GaN-фотодіоди Шоткі на таких нанотемплетах мали більш крутий довгохвильовий (375-475 нм) край нормованої фоточутливості порівняно з фотодіодами без них. Проаналізовано придатність таких нанотемплетів для шарів акумулювання енергії, зокрема, для формування шарів низькодефектного нітриду бору, в які інкапсулюється графен, для виготовлення супер-конденсаторів, а також для формування нанокарбідів і консолідованих фаз AlCN або BCN в MOCVD -реакторі в потоці триметилу алюмінію або триетилу бору відповідно, на поверхні таких нанотемплетів.

Ключові слова


ІІІ-нітриди; темплет; текстурований сапфір; MOCVD; щільність дислокацій; малодефектність; фотодіод

Повний текст:

PDF